- Sections
- H - électricité
- H10N - Dispositifs électriques à l'état solide non prévus ailleurs
- H10N 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément galvanomagnétique ou à effet Hall couvert par les groupes
Détention brevets de la classe H10N 59/00
Brevets de cette classe: 26
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
| Nitto Denko Corporation | 7879 |
2 |
| Everspin Technologies, Inc. | 474 |
2 |
| Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | 2329 |
2 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 511 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| Robert Bosch GmbH | 40953 |
1 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3693 |
1 |
| Lexmark International, Inc. | 1793 |
1 |
| Georgia Tech Research Corporation | 2453 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 461 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
1 |
| Melexis Technologies SA | 184 |
1 |
| Politecnico di Milano | 790 |
1 |
| Tohoku University | 2526 |
1 |
| Universidade do Porto | 238 |
1 |
| Analog Devices International Unlimited Company | 1724 |
1 |
| Autres propriétaires | 1 |